| 型号：NIC9N05ATS1 | 类别：FET - 单 | 制造商：ON Semiconductor |
| 封装：* | 描述：IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE | |
详细参数
| 类别 | FET - 单 |
|---|---|
| 描述 | IGBT N-CH 52V 9A BARE DIE |
| 系列 | - |
| 制造商 | ON Semiconductor |
| FET型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 52V |
| 电流_连续漏极（Id）0a025000C | 9A |
| 开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C | 95 毫欧 @ 12A，12V |
| Id时的Vgs（th）111最大222 | 2.5V @ 100µA |
| 闸电荷（Qg）0a0Vgs | 7nC @ 4.5V |
| 输入电容（Ciss）0a0Vds | 250pF @ 40V |
| 功率_最大 | 1.74W |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 供应商设备封装 | * |
| 包装 | * |
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